Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
Price: 15.7686 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB029N06N3GE8187ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 118µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 165 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13000 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 188W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPB029
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,2mOhm przy 100A, 10V