Name: IPB015N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB015N08N5ATMA1TR-ND
Price: 32.6442 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB015N08N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB015N08N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB015N08N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB015N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB015N08N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 180A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB015N08N5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 279µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	222 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16900 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB015