IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB015N04NGATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB015N04NGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB015N04NGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB015N04NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB015N04NGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB015N04NGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	20000 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	250W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB015

Cena jednostkowa bez VAT:	19,11000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	23,50530 zł

IPB015N04NGATMA1