IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPS70R1K4CEAKMA1
Numer produktu DigiKey	IPS70R1K4CEAKMA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPS70R1K4CEAKMA1
Opis	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 5,4A (Tc) 53W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO251-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	225 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	53W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO251-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 skrócone odpr., IPAK
Bazowy numer produktu	IPS70R1

IPS70R1K4CEAKMA1