Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPAN65R650CEXKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 10,1A (Tc) 28W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPAN65R650CEXKSA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Ostatnio kupiono | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 650mOhm przy 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 210µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 440 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 28W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-FP | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 14
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Data ostatniego zakupu: 30.09.2026
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,13000 zł | 6,13 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,13000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,53990 zł |
Produkt powiązanyZobacz wszystko
8 Pozycje
Polska