
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 25A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 125mOhm przy 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 390µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1503 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 32W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-FP | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,09000 zł | 11,09 zł |
| 50 | 5,52000 zł | 276,00 zł |
| 100 | 4,98090 zł | 498,09 zł |
| 500 | 4,03618 zł | 2 018,09 zł |
| 1 000 | 3,73258 zł | 3 732,58 zł |
| 2 000 | 3,53465 zł | 7 069,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,09000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,64070 zł |















