Name: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Price: 15.5226 PLN
Availability: InStock

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™PFD7
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 7,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 390µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1503 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	32W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	IPAN60

Cena jednostkowa bez VAT:	12,62000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,52260 zł

IPAN60R125PFD7SXKSA1