Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPA65R1K0CEXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPA65R1K0CEXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPA65R1K0CEXKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 7,2A (Tc) 68W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPA65R1K0CEXKSA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Ostatnio kupiono | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1Ohm przy 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 200µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 328 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 68W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-FP | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 1 445
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Data ostatniego zakupu: 30.09.2026
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,20000 zł | 6,20 zł |
| 50 | 2,92660 zł | 146,33 zł |
| 100 | 2,60750 zł | 260,75 zł |
| 500 | 2,04660 zł | 1 023,30 zł |
| 1 000 | 1,86612 zł | 1 866,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,20000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,62600 zł |
Produkt powiązanyZobacz wszystko
8 Pozycje
Polska