IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPA50R399CPXKSA1
Numer produktu DigiKey	IPA50R399CPXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPA50R399CPXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3-31
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	399mOhm przy 4,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 330µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	890 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3-31
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	IPA50R

IPA50R399CPXKSA1