IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPA180N10N3GXKSA1
Numer produktu DigiKey	IPA180N10N3GXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPA180N10N3GXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 28A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPA180N10N3GXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 28A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1800 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	30W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet

IPA180N10N3GXKSA1