Name: IPA086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA086N10N3GXKSA1-ND
Price: 11.4882 PLN
Availability: InStock

IPA086N10N3GXKSA1
Numer produktu DigiKey	IPA086N10N3GXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPA086N10N3GXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 45A (Tc) 37,5W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPA086N10N3GXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	45A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,6mOhm przy 45A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 75µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3980 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	37,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	IPA086

Cena jednostkowa bez VAT:	9,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,48820 zł

IPA086N10N3GXKSA1