Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-4-U02 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 750 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 7,2mOhm przy 90,3A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 32,4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 178 nC @ 500 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6137 pF @ 500 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 517W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO247-4-U02 | |
Obudowa / skrzynia |
0 w magazynie
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 134,44000 zł | 134,44 zł |
| 30 | 88,75133 zł | 2 662,54 zł |
| 120 | 82,26700 zł | 9 872,04 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 134,44000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 165,36120 zł |
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
Polska