
IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R027M1HXKSA1 |
Opis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-41 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IMW65R027M1HXKSA1 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5,7V przy 11mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 62 nC @ 18 V |
Seria | Vgs (maks.) +23V, -5V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2131 pF @ 400 V |
Status części Nie do nowych projektów | Straty mocy (maks.) 189W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-41 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 34mOhm przy 38,3A, 18V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | 64,20000 zł | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 55,77000 zł | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 44,02000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 51,96000 zł | 51,96 zł |
| 30 | 31,55600 zł | 946,68 zł |
| 120 | 27,08242 zł | 3 249,89 zł |
| 510 | 24,51396 zł | 12 502,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 51,96000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 63,91080 zł |




