IPW65R099CFD7AXKSA1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMW65R027M1HXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMW65R027M1HXKSA1
Opis
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Standardowy czas realizacji przez producenta
23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-41
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IMW65R027M1HXKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
34mOhm przy 38,3A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,7V przy 11mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2131 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
189W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-3-41
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 081
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
146,59000 zł46,59 zł
3028,21867 zł846,56 zł
12024,19050 zł2 902,86 zł
51024,02653 zł12 253,53 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:46,59000 zł
Cena jednostkowa z VAT:57,30570 zł