
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMT65R075M2HXUMA1 |
Opis | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 2,4mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Seria | Vgs (maks.) +25V, -10V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 516 pF @ 400 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 178W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 95mOhm przy 11,9A, 18V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 25,32000 zł | 25,32 zł |
| 10 | 16,89100 zł | 168,91 zł |
| 100 | 12,12510 zł | 1 212,51 zł |
| 500 | 10,09274 zł | 5 046,37 zł |
| 1 000 | 9,44036 zł | 9 440,36 zł |
| 2 000 | 8,89221 zł | 17 784,42 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 25,32000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 31,14360 zł |


