Nowy produkt
Kanał N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMT65R075M2HXUMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMT65R075M2HXUMA1
Opis
SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 2,4mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
14.9 nC @ 18 V
Seria
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
516 pF @ 400 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
178W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-HSOF-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
95mOhm przy 11,9A, 18V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 2 000
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
125,32000 zł25,32 zł
1016,89100 zł168,91 zł
10012,12510 zł1 212,51 zł
50010,09274 zł5 046,37 zł
1 0009,44036 zł9 440,36 zł
2 0008,89221 zł17 784,42 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:25,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:31,14360 zł