Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Nowy produkt
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMT65R075M2HXUMA1 |
Opis | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 95mOhm przy 11,9A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 2,4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 14.9 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 516 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 178W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-HSOF-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,69000 zł | 20,69 zł |
| 10 | 13,80400 zł | 138,04 zł |
| 100 | 9,90940 zł | 990,94 zł |
| 500 | 8,24870 zł | 4 124,35 zł |
| 1 000 | 7,88706 zł | 7 887,06 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,69000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 25,44870 zł |
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
Polska