Nowości w DigiKey
PG-HSOF-8-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMT65R050M2HXUMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMT65R050M2HXUMA1
Opis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
46mOhm przy 18,2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 3,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
790 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
237W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 00010,44336 zł20 886,72 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:10,44336 zł
Cena jednostkowa z VAT:12,84533 zł