Name: IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND
Price: 36.654 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMCQ120R078M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMCQ120R078M2HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 31A 22PWRBSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 31A (Tc) 176W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMCQ120R078M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 78,1mOhm przy 8,9A, 18V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,1V przy 2,8mA
Seria CoolSiC™ G2	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23.2 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 880 pF @ 800 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 176W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 31A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-22-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia Moduł 22-PowerBSOP