Name: IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND
Price: 34.2555 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IMCQ120R078M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMCQ120R078M2HXTMA1
Opis	MOSFET N-CH 1200V 31A 22PWRBSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 31A (Tc) 176W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMCQ120R078M2HXTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	78,1mOhm przy 8,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 2,8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23.2 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	880 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	176W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22-3
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP

Cena jednostkowa bez VAT:	27,85000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	34,25550 zł

IMCQ120R078M2HXTMA1