Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 213.0237 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Kanał N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMCQ120R005M2HXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMCQ120R005M2HXUMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™ G2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	342A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5mOhm przy 138,2A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 43,4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	261 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9760 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1364W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22-3
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP