Name: IMBG65R060M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R060M2HTR-ND
Price: 29.9874 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG65R060M2H
Numer produktu DigiKey	448-IMBG65R060M2HTR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R060M2HCT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R060M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG65R060M2H
Opis	IMBG65R060M2H
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 34,9A (Tc) 148W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34,9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	55mOhm przy 15,4A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 3,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	669 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	148W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 385

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®