Name: IMBG65R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R033M2HXTMA1TR-ND
Price: 45.3747 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG65R033M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG65R033M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R033M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG65R033M2HXTMA1
Opis	IMBG65R033M2H
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 58A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBG65R033M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	58A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 27,9A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 5,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	34 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1214 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	227W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 990

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®