Name: IMBG65R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 72.7545 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG65R015M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG65R015M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R015M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG65R015M2HXTMA1
Opis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 115A (Tc) 416W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™ Gen 2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	115A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 64,2A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 13mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2792 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	416W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	IMBG65R015