Name: IMBG40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 56.0511 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG40R015M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG40R015M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG40R015M2HXTMA1
Opis	SIC-MOS
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 400 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBG40R015M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	400 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,7A (Ta), 111A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	19,1mOhm przy 27,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 9,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2730 pF @ 200 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-11
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA