IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IGT60R070D1ATMA4 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 460

Cena jednostkowa : 24,49000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGT60R070D1ATMA4
Numer produktu DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGT60R070D1ATMA4
Opis	GANFET N-CH
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 2,6mA
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	380 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-3
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN