Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 28.8066 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGLT65R110B2AUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLT65R110B2AUMA1
Opis	HV GAN DISCRETES
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 15,1A (Tc) 56W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-9
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15,1A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 1,36mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	150 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	56W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-16-9
Obudowa / skrzynia	Moduł 16-PowerSOP

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®