Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 28.2654 PLN
Availability: InStock

IGLT65R110B2AUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLT65R110B2AUMA1
Opis	GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 14A (Tc) 55W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-9
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™ G5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	140mOhm przy 4,5A
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 1,36mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	149 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	55W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-16-9
Obudowa / skrzynia	Moduł 16-PowerSOP

Cena jednostkowa bez VAT:	22,98000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	28,26540 zł

IGLT65R110B2AUMA1