IDH10G65C5ZXKSA1 nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar

SICR10650
SMC Diode Solutions
W magazynie: 168
Cena jednostkowa : 11,34000 zł
Arkusz danych

Similar

STPSC6H065D
STMicroelectronics
W magazynie: 937
Cena jednostkowa : 9,83000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Diody 650 V 10A Otwór przelotowy PG-TO220-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IDH10G65C5ZXKSA1

Numer produktu DigiKey
IDH10G65C5ZXKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IDH10G65C5ZXKSA1
Opis
DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 10A Otwór przelotowy PG-TO220-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™+
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
10A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.7 V @ 10 A
Prędkość
Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
180 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
300pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-2
Temperatura robocza - złącze
-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu
IDH10G65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.