Diody 650 V 9A Otwór przelotowy PG-TO220-2-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IDH09G65C5XKSA1

Numer produktu DigiKey
IDH09G65C5XKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IDH09G65C5XKSA1
Opis
DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 9A Otwór przelotowy PG-TO220-2-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™+
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
9A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.7 V @ 9 A
Prędkość
Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
310 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
270pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-2-2
Temperatura robocza - złącze
-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu
IDH09G65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.