Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 10.4919 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IDH04G65C6XKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IDH04G65C6XKSA1
Opis	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 650 V 12A Otwór przelotowy PG-TO220-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IDH04G65C6XKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	12A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.35 V @ 4 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	14 µA @ 420 V
Pojemność przy Vr, F	205pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-2
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	IDH04G65

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 6 109

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	8,53000 zł	8,53 zł
50	4,15340 zł	207,67 zł
100	3,72730 zł	372,73 zł
500	2,98064 zł	1 490,32 zł
1 000	2,74053 zł	2 740,53 zł
2 000	2,53865 zł	5 077,30 zł
5 000	2,37081 zł	11 854,05 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.