IDH05G65C5XKSA2 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

SICR5650
SMC Diode Solutions
W magazynie: 158
Cena jednostkowa : 8,58000 zł
Arkusz danych

Similar

STPSC6H065D
STMicroelectronics
W magazynie: 937
Cena jednostkowa : 9,83000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Diody 650 V 5A Otwór przelotowy PG-TO220-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IDH05G65C5XKSA2

Numer produktu DigiKey
IDH05G65C5XKSA2-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IDH05G65C5XKSA2
Opis
DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 5A Otwór przelotowy PG-TO220-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IDH05G65C5XKSA2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™+
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
5A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.7 V @ 5 A
Prędkość
Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
90 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
160pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-2
Temperatura robocza - złącze
-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu
IDH05G65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.