Name: IAUZ40N06S5N105ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1TR-ND
Price: 5.7195 PLN
Availability: InStock

Kanał N 60 V 40A (Tj) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-32

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUZ40N06S5N105ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUZ40N06S5N105ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUZ40N06S5N105ATMA1
Opis	MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 40A (Tj) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-32
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUZ40N06S5N105ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	40A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,4V przy 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1099 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8-32
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN