Name: IAUZ30N10S5L240ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND
Price: 6.3591 PLN
Availability: InStock

Kanał N 100 V 30A (Tc) 45,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-32

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUZ30N10S5L240ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 30A (Tc) 45,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-32
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™ 5	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 832 pF @ 50 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 45,5W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8-32
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 15A, 10V	Bazowy numer produktu IAUZ30
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 15µA