Name: IAUTN15S6N038ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND
Price: 27.0354 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUTN15S6N038ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUTN15S6N038ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUTN15S6N038ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUTN15S6N038ATMA1
Opis	MOSFET_(120V 300V)
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 170A (Tj) 263W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUTN15S6N038ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 166µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 88 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6200 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 263W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 170A (Tj)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-1
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,8mOhm przy 85A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 989

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®