Name: IAUT300N08S5N012ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND
Price: 26.6295 PLN
Availability: InStock

IAUT300N08S5N012ATMA2
Numer produktu DigiKey	IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) IAUT300N08S5N012ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) IAUT300N08S5N012ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUT300N08S5N012ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUT300N08S5N012ATMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16250 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IAUT300

Cena jednostkowa bez VAT:	21,65000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	26,62950 zł

IAUT300N08S5N012ATMA2