Name: IAUCN10S7N074ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N074ATMA1TR-ND
Price: 10.1106 PLN
Availability: InStock

IAUCN10S7N074ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUCN10S7N074ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUCN10S7N074ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUCN10S7N074ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUCN10S7N074ATMA1
Opis	IAUCN10S7N074ATMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 78A (Tj) 96W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-34
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUCN10S7N074ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	78A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,4mOhm przy 39A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,2V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1950 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	96W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-34
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	2,20782 zł	11 039,10 zł
10 000	2,10152 zł	21 015,20 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	8,22000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,11060 zł

IAUCN10S7N074ATMA1