Name: IAUC60N10S5L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND
Price: 8.3886 PLN
Availability: InStock

Kanał N 100 V 60A (Tc) 88W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-33

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUC60N10S5L110ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUC60N10S5L110ATMA1
Opis	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 60A (Tc) 88W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-33
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUC60N10S5L110ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 30µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24.1 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1665 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 88W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-33
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11mOhm przy 30A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN