Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 13.1118 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-33

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUC120N04S6N009ATMA1
Numer produktu DigiKey	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUC120N04S6N009ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-33
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUC120N04S6N009ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 115 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7360 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 150W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-33
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,9mOhm przy 60A, 10V	Bazowy numer produktu IAUC120
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,4V przy 90µA