GS66506TTRXUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

GS66506TTRXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-GS66506TTRXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS66506TTRXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS66506TTRXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS66506TTRXUMA1
Opis	GS66506T-TR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 22,5A (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 6,7A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,3V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.4 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	195 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	-
Obudowa / skrzynia	4-SMD, brak odprowadzenia

GS66506TTRXUMA1