GS66506TMRXUSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

GS66506TMRXUSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 68

Cena jednostkowa : 23,48000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GS66506TMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS66506TMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS66506TMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS66506TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS66506TMRXUSA1
Opis	GS66506T-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 22,5A (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 90mOhm przy 6,7A, 6V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,3V przy 5mA
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4.4 nC @ 6 V
Status części Nieaktualne	Vgs (maks.) +7V, -10V
Typ FET Kanał N	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 195 pF @ 400 V
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 22,5A (Tc)	Obudowa / skrzynia 4-SMD, brak odprowadzenia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V