Name: GS0650116LRMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND
Price: 22.6935 PLN
Availability: OutOfStock

GS0650116LRMRXUSA1 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IGL65R110D2XUMA1

Infineon Technologies

W magazynie: 2 946

Cena jednostkowa : 15,59000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GS0650116LRMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS0650116LRMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS0650116LRMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS0650116LRMRXUSA1
Opis	GS-065-011-6-LR-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 12,2A (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PDFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 3,2A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 2,4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.2 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	70 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-PDFN (8x8)
Obudowa / skrzynia	8-VDFN podkładka odsłonięta