Name: BSZ130N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ130N03LSGATMA1TR-ND
Price: 4.2804 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ130N03LSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ130N03LSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ130N03LSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ130N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ130N03LSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ130N03LSGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 970 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta), 35A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu BSZ130
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13mOhm przy 20A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 20 655

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)