Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 8.8806 PLN
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ123N08NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ123N08NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12,3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 33µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1700 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	BSZ123

Cena jednostkowa bez VAT:	7,22000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,88060 zł

BSZ123N08NS3GATMA1