Name: BSZ097N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N04LSGATMA1TR-ND
Price: 5.6088 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ097N04LSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ097N04LSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ097N04LSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ097N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ097N04LSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 35W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ097N04LSGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 14µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1900 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta), 35W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu BSZ097
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,7mOhm przy 20A, 10V