Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 7.7613 PLN
Availability: InStock

BSZ0901NSIATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ0901NSIATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ0901NSIATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,1mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2600 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	Dioda Schottky'ego (korpus)
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8-FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSZ0901

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	1,51612 zł	7 580,60 zł
10 000	1,45360 zł	14 536,00 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	6,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,76130 zł

BSZ0901NSIATMA1