Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 7.0848 PLN
Availability: InStock

BSZ0901NSATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ0901NSATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ0901NSATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2850 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSZ0901

Cena jednostkowa bez VAT:	5,76000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,08480 zł

BSZ0901NSATMA1