Name: BSZ050N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ050N03LSGATMA1TR-ND
Price: 4.7724 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ050N03LSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ050N03LSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ050N03LSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ050N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ050N03LSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2800 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSDSON-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Ta), 40A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu BSZ050
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5mOhm przy 20A, 10V