Name: BSZ040N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ040N04LSGATMA1TR-ND
Price: 6.8019 PLN
Availability: OutOfStock

BSZ040N04LSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ040N04LSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ040N04LSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ040N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ040N04LSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ040N04LSGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 36µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5100 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSZ040

Cena jednostkowa bez VAT:	5,53000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,80190 zł

BSZ040N04LSGATMA1