BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSS169IXTSA1
Numer produktu DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSS169IXTSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	190mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	0V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,8V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	51 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Cena jednostkowa bez VAT:	1,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,62360 zł

BSS169IXTSA1