BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSS169IXTSA1
Numer produktu DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSS169IXTSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	190mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	0V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12Ohm przy 50mA, 0V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,8V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	51 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Cena jednostkowa bez VAT:	1,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,62360 zł

BSS169IXTSA1