BSS126H6327XTSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSS126H6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	BSS126H6327XTSA1-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSS126H6327XTSA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT23
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	0V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	500Ohm przy 16mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,7V przy 8µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.1 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	28 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT23
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS126H6327XTSA1