BSS123IXTMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSS123IXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSS123IXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSS123IXTMA1
Opis	100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT23-3-5
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	190mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6Ohm przy 190mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,8V przy 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT23-3-5
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	BSS123

BSS123IXTMA1