Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 12.6813 PLN
Availability: InStock

BSZ014NE2LS5IFATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Opis	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ014NE2LS5IFATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,45mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2300 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	Dioda Schottky'ego (korpus)
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8-FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSZ014

Cena jednostkowa bez VAT:	10,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,68130 zł

BSZ014NE2LS5IFATMA1