Name: BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1TR-ND
Price: 7.8105 PLN
Availability: InStock

BSP135H6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	BSP135H6327XTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSP135H6327XTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSP135H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSP135H6327XTSA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT223-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	0V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45Ohm przy 120mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 94µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	146 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,8W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT223-4
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	BSP135

Cena jednostkowa bez VAT:	6,35000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,81050 zł

BSP135H6327XTSA1